BRCS90P03DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRCS90P03DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BRCS90P03DP
BRCS90P03DP Datasheet (PDF)
brcs90p03dp.pdf

BRCS90P03DP Rev.A .May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Lowgatecharge,lowcrss,fastswitching. Halogen-free Product. / Applications DC/DC These d
brcs90p03ra.pdf

BRCS90P03RA Rev.B .Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Lowgatecharge,lowcrss,fastswitching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig
brcs900p10dp.pdf

BRCS900P10DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V ID=-18A RDS(ON)@-10V
brcs900n10sym.pdf

BRCS900N10SYM Rev.C Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN56A N Dual N-CHANNEL MOSFET in a PDFN56A Plastic Package. / Features Dual N-Ch VDS(V)=100V ID=13.7A RDS(ON)
Другие MOSFET... BRCS5P06MC , BRCS5P06MF , BRCS60N02DP , BRCS630FA , BRCS700P10DP , BRCS800P06SC , BRCS900N10SYM , BRCS900P10DP , 50N06 , BRCS9N20YU , BRD4N65S , BRD5N20 , BRD5N65 , BRD640 , BRD65R1K0C , BRD65R280C , BRD65R380C .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD | SLD80N02TB | SLD65R600E7C | SLD65R380E7C | SLD65R280E7C | SLU4N65U | SLT70R180E7C | SLT65R180E7C | SLP730S | SLP65R380E7C | SLP65R1K2E7
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a