BRCS90P03DP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRCS90P03DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BRCS90P03DP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRCS90P03DP даташит
brcs90p03dp.pdf
BRCS90P03DP Rev.A .May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Low gate charge,low crss,fast switching. Halogen-free Product. / Applications DC/DC These d
brcs90p03ra.pdf
BRCS90P03RA Rev.B .Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low gate charge,low crss,fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig
brcs900p10dp.pdf
BRCS900P10DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V ID=-18A RDS(ON)@-10V
Другие MOSFET... BRCS5P06MC , BRCS5P06MF , BRCS60N02DP , BRCS630FA , BRCS700P10DP , BRCS800P06SC , BRCS900N10SYM , BRCS900P10DP , 50N06 , BRCS9N20YU , BRD4N65S , BRD5N20 , BRD5N65 , BRD640 , BRD65R1K0C , BRD65R280C , BRD65R380C .
History: JMSL0307AG | SVF840D
History: JMSL0307AG | SVF840D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a




