BRD5N20 Todos los transistores

 

BRD5N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRD5N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRD5N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1949K  blue-rocket-elect
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BRD5N20

BRD5N20 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features 100%Low gate charge, low Rdson, fast switching, Low Reverse transfer capacitances,100% Single Pulse

 9.1. Size:979K  blue-rocket-elect
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BRD5N20

BRD5N50Rev.D May.-2016 DATA SHEET / DescriptionsTO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency switching

 9.2. Size:688K  blue-rocket-elect
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BRD5N20

BRD5N60(BRCS5N60D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

 9.3. Size:688K  blue-rocket-elect
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BRD5N20

BRD5N65 Rev.A Sep.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

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History: FQP2N50 | BFC23 | AO4914 | GPT18N50GN247 | IRFR9220 | ATM3400ANSA | SIR496DP

 

 
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