FQD2P40 Todos los transistores

 

FQD2P40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQD2P40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FQD2P40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  fairchild semi
 fqd2p40tf fqd2p40tm fqd2p40 fqu2p40.pdf pdf_icon

FQD2P40

October 2008QFETFQD2P40 / FQU2P40400V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -1.56A, -400V, RDS(on) = 6.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology is especially t

 ..2. Size:864K  onsemi
 fqd2p40.pdf pdf_icon

FQD2P40

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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History: MMBFU310L | STP5NA50FI

 

 
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