FQD2P40 - описание и поиск аналогов

 

FQD2P40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD2P40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

Аналог (замена) для FQD2P40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD2P40 даташит

 ..1. Size:640K  fairchild semi
 fqd2p40tf fqd2p40tm fqd2p40 fqu2p40.pdf pdf_icon

FQD2P40

October 2008 QFET FQD2P40 / FQU2P40 400V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -1.56A, -400V, RDS(on) = 6.5 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technology is especially t

 ..2. Size:864K  onsemi
 fqd2p40.pdf pdf_icon

FQD2P40

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FQA28N50 , FQD20N06 , FQD2N100 , FQD2N60C , FQPF3N25 , FQD2N80 , FQP4N20L , FQD2N90 , STF13NM60N , FQD30N06 , FQD3N60CTMWS , FQB9P25 , FQD3P50 , FQD3P50TMF085 , FQD4N20 , FQP11P06 , FQD4N25 .

History: FQB27P06 | BSH111BK | CPC3720C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.