Справочник MOSFET. FQD2P40

 

FQD2P40 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQD2P40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO252_DPAK

Аналог (замена) для FQD2P40

 

 

FQD2P40 Datasheet (PDF)

1.1. fqd2p40 fqu2p40.pdf Size:640K _fairchild_semi

FQD2P40
FQD2P40

October 2008 QFET FQD2P40 / FQU2P40 400V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -1.56A, -400V, RDS(on) = 6.5? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technology is especially tailored to min

Другие MOSFET... FQA28N50 , FQD20N06 , FQD2N100 , FQD2N60C , FQPF3N25 , FQD2N80 , FQP4N20L , FQD2N90 , 2N3824 , FQD30N06 , FQD3N60CTM_WS , FQB9P25 , FQD3P50 , FQD3P50TM_F085 , FQD4N20 , FQP11P06 , FQD4N25 .

Back to Top

 


FQD2P40
  FQD2P40
  FQD2P40
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: IRFR13N20DPBF | IRFR13N15DPBF | IRFR130ATM | IRFR12N25DPBF | IRFR120ZPBF | IRFR120PBF | IRFR120NPBF | IRFR120ATM | IRFR1205PBF | IRFR110PBF | IRFR1018EPBF | IRFR1010ZPBF | IRFR024PBF | IRFR024NPBF | IRFR020PBF |