Справочник MOSFET. FQD2P40

 

FQD2P40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD2P40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD2P40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  fairchild semi
fqd2p40tf fqd2p40tm fqd2p40 fqu2p40.pdfpdf_icon

FQD2P40

October 2008QFETFQD2P40 / FQU2P40400V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -1.56A, -400V, RDS(on) = 6.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology is especially t

 ..2. Size:864K  onsemi
fqd2p40.pdfpdf_icon

FQD2P40

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FQA28N50 , FQD20N06 , FQD2N100 , FQD2N60C , FQPF3N25 , FQD2N80 , FQP4N20L , FQD2N90 , AON7403 , FQD30N06 , FQD3N60CTMWS , FQB9P25 , FQD3P50 , FQD3P50TMF085 , FQD4N20 , FQP11P06 , FQD4N25 .

History: IPB024N10N5 | LR024N | NCEP040NH150LL | NTP2955 | EKI06108 | SMK0460D | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.