BRD7N65 Todos los transistores

 

BRD7N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRD7N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BRD7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  blue-rocket-elect
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BRD7N65

BRD7N65 Rev.B Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching. Halogen-free Product,HF Product. / Applications DC/DC Thes

 0.1. Size:1095K  blue-rocket-elect
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BRD7N65

BRD7N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. Have good Electromagnetic Interference porfo

 8.1. Size:1016K  blue-rocket-elect
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BRD7N65

BRD7N60 Rev.E Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features 600V MOSFET,,,600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications

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History: AM1440N | QM3001D | MTP2311N3 | HM8N20I

 

 
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