BRD7N65 - аналоги и даташиты транзистора

 

BRD7N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BRD7N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BRD7N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  blue-rocket-elect
 brd7n65.pdf pdf_icon

BRD7N65

BRD7N65 Rev.B Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching. Halogen-free Product,HF Product. / Applications DC/DC Thes

 0.1. Size:1095K  blue-rocket-elect
 brd7n65s.pdf pdf_icon

BRD7N65

BRD7N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. Have good Electromagnetic Interference porfo

 8.1. Size:1016K  blue-rocket-elect
 brd7n60.pdf pdf_icon

BRD7N65

BRD7N60 Rev.E Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features 600V MOSFET,,,600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications

Другие MOSFET... BRD65R1K0C , BRD65R280C , BRD65R380C , BRD65R600C , BRD65R650C , BRD7002K1 , BRD7002K2 , BRD7N60 , IRFP250N , BRD7N65S , BRF4N65S , BRF4N70 , BRF5N50 , BRF60R580C , BRF65R280C , BRF65R380C , BRF65R650C .

History: NDT70N03 | SWH15P03 | SI9945AEY-T1-E3 | IRLS3036-7PPBF | SWF16N65D | STH15NB50FI | NDT06N03

 

 
Back to Top

 


 
.