FQD3N60CTMWS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQD3N60CTMWS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.5 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQD3N60CTMWS

FQD3N60CTMWS Datasheet (PDF)

4.1. Size:500K fairchild semi
fqd3n60ctm ws.pdf

November 2013FQD3N60CTM_WSN-Channel QFET MOSFET600 V, 2.4 A, 3.4 Features Description 2.4 A, 600 V, RDS(on) = 3.4 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.2 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors proprietary Low Gate Charge (Typ. 10.5 nC)planar stripe and DMOS technology. This advanced Low Crss (Typ. 5 pF)MOSFET te

4.2. Size:954K onsemi
fqd3n60ctm-ws.pdf

FQD3N60CTM-WSN-Channel QFET MOSFET Description600 V, 2.4 A, 3.4 This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductors proprietary planar Featuresstripe and DMOS technology. This advanced MOSFET 2.4 A, 600 V, RDS(on) = 3.4 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.2 Atechnology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to pro

7.1. Size:575K fairchild semi
fqd3n60 fqu3n60.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD3N60 / FQU3N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.4A, 600V, RDS(on) = 3.6 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.5 pF)This advanced technology h

7.2. Size:573K fairchild semi
fqd3n60tm fqu3n60 fqu3n60tu.pdf

Otros transistores... FQD2N100 , FQD2N60C , FQPF3N25 , FQD2N80 , FQP4N20L , FQD2N90 , FQD2P40 , FQD30N06 , NCEP15T14 , FQB9P25 , FQD3P50 , FQD3P50TMF085 , FQD4N20 , FQP11P06 , FQD4N25 , FQD4P25 , FQD5N20L .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: