BRFL8N65 Todos los transistores

 

BRFL8N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRFL8N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: TO-220FL

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BRFL8N65 datasheet

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BRFL8N65

BRFL8N65 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficien

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BRFL8N65

BRFL8N60 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie

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History: IRF7304PBF-1 | S2N7002K | NCE60R360F | SGM3055 | RTR025N05FRA

 

 

 

 

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