BRFL8N65 - описание и поиск аналогов

 

BRFL8N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRFL8N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220FL

Аналог (замена) для BRFL8N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRFL8N65 даташит

 ..1. Size:1085K  blue-rocket-elect
 brfl8n65.pdf pdf_icon

BRFL8N65

BRFL8N65 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficien

 7.1. Size:863K  blue-rocket-elect
 brfl8n60.pdf pdf_icon

BRFL8N65

BRFL8N60 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie

Другие MOSFET... BRFL20N65 , BRFL24N50 , BRFL4N65S , BRFL60R190C , BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , 13N50 , BRGN250N65YK , BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 .

History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.