BRFL8N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRFL8N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220FL
Аналог (замена) для BRFL8N65
BRFL8N65 Datasheet (PDF)
brfl8n65.pdf

BRFL8N65 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficien
brfl8n60.pdf

BRFL8N60 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie
Другие MOSFET... BRFL20N65 , BRFL24N50 , BRFL4N65S , BRFL60R190C , BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , AO4407 , BRGN250N65YK , BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 .
History: VBA2216 | NTGS3447PT1G
History: VBA2216 | NTGS3447PT1G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614