BRI2N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRI2N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 8.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 5.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRI2N70

BRI2N70 Datasheet (PDF)

..1. Size:1887K blue-rocket-elect
bri2n70.pdf

BRI2N70 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , R ,DS(on)Low gate charge, Low ON Resistance, fast switching. / Applications Power switch circuit of adaptor an

9.1. Size:777K blue-rocket-elect
bri2n60.pdf

BRI2N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

9.2. Size:911K blue-rocket-elect
bri2n65.pdf

BRI2N65(BRCS2N65I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

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Liste

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