BRI2N70 - описание и поиск аналогов

 

BRI2N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRI2N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для BRI2N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI2N70 даташит

 ..1. Size:1887K  blue-rocket-elect
 bri2n70.pdf pdf_icon

BRI2N70

BRI2N70 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , R , DS(on) Low gate charge, Low ON Resistance, fast switching. / Applications Power switch circuit of adaptor an

 9.1. Size:777K  blue-rocket-elect
 bri2n60.pdf pdf_icon

BRI2N70

BRI2N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

 9.2. Size:911K  blue-rocket-elect
 bri2n65.pdf pdf_icon

BRI2N70

BRI2N65(BRCS2N65I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

Другие MOSFET... BRFL4N65S , BRFL60R190C , BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 , BRGN250N65YK , 12N60 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 .

History: 2SK1212-01R | AP0103GP-HF | SWB12N65D | SML20B56 | SWD088R06VT | 2SK1348

 

 

 

 

↑ Back to Top
.