Справочник MOSFET. BRI2N70

 

BRI2N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI2N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для BRI2N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI2N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1887K  blue-rocket-elect
 bri2n70.pdf pdf_icon

BRI2N70

BRI2N70 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , R ,DS(on)Low gate charge, Low ON Resistance, fast switching. / Applications Power switch circuit of adaptor an

 9.1. Size:777K  blue-rocket-elect
 bri2n60.pdf pdf_icon

BRI2N70

BRI2N60 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

 9.2. Size:911K  blue-rocket-elect
 bri2n65.pdf pdf_icon

BRI2N70

BRI2N65(BRCS2N65I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

Другие MOSFET... BRFL4N65S , BRFL60R190C , BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 , BRGN250N65YK , 4N60 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.