BRI50N06 Todos los transistores

 

BRI50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRI50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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BRI50N06 Datasheet (PDF)

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BRI50N06

BRI50N06 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC

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BRI50N06

BRI50N03(BRCS50N03I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC

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History: SUB65P06-20 | SM4836NSK | 2SK1982-01MR | STF2459A | STE36N50A | HM10N03D | FKBA4903

 

 
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