BRI50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRI50N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de BRI50N06 MOSFET
BRI50N06 Datasheet (PDF)
bri50n06.pdf
BRI50N06 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC
bri50n03.pdf
BRI50N03(BRCS50N03I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC
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History: 2SK1116 | 2SK1482 | LN2312LT1G | IRF9952Q | 3N50 | JMPL1025AK
History: 2SK1116 | 2SK1482 | LN2312LT1G | IRF9952Q | 3N50 | JMPL1025AK
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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