BRI50N06 - описание и поиск аналогов

 

BRI50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRI50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для BRI50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI50N06 даташит

 ..1. Size:833K  blue-rocket-elect
 bri50n06.pdf pdf_icon

BRI50N06

BRI50N06 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC

 7.1. Size:781K  blue-rocket-elect
 bri50n03.pdf pdf_icon

BRI50N06

BRI50N03(BRCS50N03I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast speed switching. / Applications DC/DC

Другие MOSFET... BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 , BRGN250N65YK , BRI2N70 , BRI4N70 , IRF1010E , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 .

History: AP01N40H-HF | AOWF2606 | EMB12N04V | AP01L60J-HF | 4N60G-TN3-R | SWF10N65D | AP01L60H-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.