BRI7N65 Todos los transistores

 

BRI7N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRI7N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-251

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BRI7N65 datasheet

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BRI7N65

BRI7N65 Rev.E Mar.-2023 DATA SHEET - / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching, HF Product. / Applications DC/DC These devices are well su

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BRI7N65

BRI7N60 Rev.B Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features 600V MOSFET, , , 600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications

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History: SWF13N80K | ZXMHC3A01N8 | ZVP4525Z | BM2300 | 2SK1365

 

 

 

 

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