BRI7N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRI7N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для BRI7N65
BRI7N65 Datasheet (PDF)
bri7n65.pdf
BRI7N65 Rev.E Mar.-2023 DATA SHEET - / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching, HF Product. / Applications DC/DC These devices are well su
bri7n60.pdf
BRI7N60 Rev.B Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features 600V MOSFET,,,600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications
Другие MOSFET... BRGN250N65YK , BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , NCEP15T14 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C .
History: STD16NF06T4 | RU30L40M3 | 2SJ374 | STQ2HNK60Z-AP | 2SK1930 | 2SK3060-Z | 2SJ550L
History: STD16NF06T4 | RU30L40M3 | 2SJ374 | STQ2HNK60Z-AP | 2SK1930 | 2SK3060-Z | 2SJ550L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l



