BRI7N65. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRI7N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для BRI7N65
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRI7N65 даташит
bri7n65.pdf
BRI7N65 Rev.E Mar.-2023 DATA SHEET - / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching, HF Product. / Applications DC/DC These devices are well su
bri7n60.pdf
BRI7N60 Rev.B Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features 600V MOSFET, , , 600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications
Другие MOSFET... BRGN250N65YK , BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , NCEP15T14 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C .
History: 4N60L-TF2-T | ZXMN10A08DN8 | ZXMN20B28K
History: 4N60L-TF2-T | ZXMN10A08DN8 | ZXMN20B28K
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l


