BRI7N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BRI7N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для BRI7N65
BRI7N65 Datasheet (PDF)
bri7n65.pdf

BRI7N65 Rev.E Mar.-2023 DATA SHEET - / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching, HF Product. / Applications DC/DC These devices are well su
bri7n60.pdf

BRI7N60 Rev.B Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features 600V MOSFET,,,600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications
Другие MOSFET... BRGN250N65YK , BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , IRFP450 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C , RU17P6C .
History: STP21NM50N | SI7459DP | HM100N02 | HY4008W | BUZ102SL | IRLML5103PBF | NTMS4176PR2G
History: STP21NM50N | SI7459DP | HM100N02 | HY4008W | BUZ102SL | IRLML5103PBF | NTMS4176PR2G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l