RU205C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU205C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Encapsulados: SOT23
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RU205C datasheet
ru205c.pdf
RU205C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 20V/5A, RDS (ON) =40m (Typ.)@VGS=4.5V D RDS (ON) =50m (Typ.)@VGS=2.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Very Fast Switching V F t S it hi G Low Threshold Voltage Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOT23-3 D D D D D D pp Applications
ru205b.pdf
RU205B N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 20V/5A, RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged SOT-23 Lead Free and Green Available Applications Load Switch PWM Applications N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Ra
ru205b.pdf
RU205B www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Definition 0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6a 100 % Rg Tested 20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.050 at VGS = 1.8 V 5.6 APPLICATIONS DC/DC Convert
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History: SWD6N80DE | SWD2N60DC
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