RU205C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU205C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU205C

RU205C Datasheet (PDF)

..1. Size:419K ruichips
ru205c.pdf

RU205CN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/5A,RDS (ON) =40m(Typ.)@VGS=4.5VDRDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=2.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Very Fast SwitchingV F t S it hiG Low Threshold Voltage Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)SSOT23-3DDDDDDppApplications

9.1. Size:262K ruichips
ru205b.pdf

RU205BN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/5A,RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedSOT-23 Lead Free and Green AvailableApplications Load Switch PWM ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Ra

9.2. Size:915K cn vbsemi
ru205b.pdf

RU205Bwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC Convert

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Liste

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