RU20N65R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU20N65R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 135 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU20N65R

RU20N65R Datasheet (PDF)

..1. Size:419K ruichips
ru20n65r.pdf

RU20N65RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/20A, RDS (ON) =400m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion i

7.1. Size:459K ruichips
ru20n65p.pdf

RU20N65PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/20A, RDS (ON) =400m(Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FDDDDDApplications Dpp D AC/DC Power Conversion

9.1. Size:925K blue-rocket-elect
bru20n50.pdf

BRU20N50 Rev.E Sep.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-3P N MOS N-Channel MOSFET in a TO-3P Plastic Package. / Features dv/dt Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. / Applications

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Liste

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