RU20N65R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU20N65R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Encapsulados: TO220
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RU20N65R datasheet
ru20n65r.pdf
RU20N65R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/20A, RDS (ON) =400m (Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G DS TO220 D D D D D Applications D pp D AC/DC Power Conversion i
ru20n65p.pdf
RU20N65P N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 650V/20A, RDS (ON) =400m (Typ.)@VGS=10V Low Reverse Transfer Ultra Low Gate Charge 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GD S TO220F D D D D D Applications D pp D AC/DC Power Conversion
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History: 4N60L-TF2-T | ZXMN20B28K
History: 4N60L-TF2-T | ZXMN20B28K
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