RU30C40M3 Todos los transistores

 

RU30C40M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU30C40M3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: DFN3030

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RU30C40M3 datasheet

 ..1. Size:850K  ruichips
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RU30C40M3

RU30C40M3 Complementary Advanced Power MOSFET F t Pi D i ti Features Pin Description N-Channel 30V/35A, G2 RDS (ON) =8m (Typ.) @ VGS=10V G1S2 S1 RDS (ON) =10m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel -30V/-40A, 30V/ 40A, RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=-10V D2 RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-4.5V D1D2 D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology pin1 Ultra Low On-Resista

 9.1. Size:333K  ruichips
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RU30C40M3

RU30C30M Complementary Advanced Power MOSFET Feat res Pin Description Features Pin Description N-Channel D1 30V/30A, D1 RDS (ON) =7.5m (Typ.) @ VGS=10V D2 D2 RDS (ON) =9.5m (Typ.) @ VGS=4.5V S1 P-Channel G1 -30V/-30A, 30V/ 30A, S2 S2 RDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=-10V G2 RDS (ON) =20m (Typ.) @ VGS=-4.5V Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology Ultr

 9.2. Size:410K  ruichips
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RU30C40M3

RU30C20M3 Complementary Advanced Power MOSFET F t Pi D i ti Features Pin Description N-Channel 30V/20A, G2 RDS (ON) =8m (Typ.) @ VGS=10V G1S2 S1 RDS (ON) =10m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel -30V/-20A, 30V/ 20A, RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-10V D2 RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=-4.5V D1D2 D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology pin1 Ultra Low On-Resista

 9.3. Size:336K  ruichips
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RU30C40M3

RU30C8H Complementary Advanced Power MOSFET Features Pin Description N-Channel D2 30V/8A, D2 RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10V D1 RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5V D1 P-Channel -30V/-7A, G2 RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-10V S2 RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-4.5V G1 Reliable and Rugged pin1 S1 ESD Protected Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

Otros transistores... RU30110M , RU30120M3 , RU30180M-C , RU3030M3 , RU3040M3 , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M , P60NF06 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C , RU30P40M3 , RU40120L , RU40180R , RU4030M3 .

History: MEM554 | MTP45N05E | 4N65G-K08-5060-R | APM2321AC | DMC3021LSD

 

 

 

 

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