RU30C40M3 - описание и поиск аналогов

 

RU30C40M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30C40M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: DFN3030

Аналог (замена) для RU30C40M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30C40M3 даташит

 ..1. Size:850K  ruichips
 ru30c40m3.pdf pdf_icon

RU30C40M3

RU30C40M3 Complementary Advanced Power MOSFET F t Pi D i ti Features Pin Description N-Channel 30V/35A, G2 RDS (ON) =8m (Typ.) @ VGS=10V G1S2 S1 RDS (ON) =10m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel -30V/-40A, 30V/ 40A, RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=-10V D2 RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-4.5V D1D2 D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology pin1 Ultra Low On-Resista

 9.1. Size:333K  ruichips
 ru30c30m.pdf pdf_icon

RU30C40M3

RU30C30M Complementary Advanced Power MOSFET Feat res Pin Description Features Pin Description N-Channel D1 30V/30A, D1 RDS (ON) =7.5m (Typ.) @ VGS=10V D2 D2 RDS (ON) =9.5m (Typ.) @ VGS=4.5V S1 P-Channel G1 -30V/-30A, 30V/ 30A, S2 S2 RDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=-10V G2 RDS (ON) =20m (Typ.) @ VGS=-4.5V Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology Ultr

 9.2. Size:410K  ruichips
 ru30c20m3.pdf pdf_icon

RU30C40M3

RU30C20M3 Complementary Advanced Power MOSFET F t Pi D i ti Features Pin Description N-Channel 30V/20A, G2 RDS (ON) =8m (Typ.) @ VGS=10V G1S2 S1 RDS (ON) =10m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel -30V/-20A, 30V/ 20A, RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-10V D2 RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=-4.5V D1D2 D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology pin1 Ultra Low On-Resista

 9.3. Size:336K  ruichips
 ru30c8h.pdf pdf_icon

RU30C40M3

RU30C8H Complementary Advanced Power MOSFET Features Pin Description N-Channel D2 30V/8A, D2 RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10V D1 RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5V D1 P-Channel -30V/-7A, G2 RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-10V S2 RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-4.5V G1 Reliable and Rugged pin1 S1 ESD Protected Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU30110M , RU30120M3 , RU30180M-C , RU3030M3 , RU3040M3 , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M , P60NF06 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C , RU30P40M3 , RU40120L , RU40180R , RU4030M3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.