Справочник MOSFET. RU30C40M3

 

RU30C40M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30C40M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN3030
 

 Аналог (замена) для RU30C40M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30C40M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  ruichips
ru30c40m3.pdfpdf_icon

RU30C40M3

RU30C40M3Complementary Advanced Power MOSFETF t Pi D i tiFeatures Pin Description N-Channel30V/35A, G2RDS (ON) =8m(Typ.) @ VGS=10V G1S2S1RDS (ON) =10m(Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-30V/-40A,30V/ 40A,RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=-10VD2RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-4.5VD1D2D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technologypin1 Ultra Low On-Resista

 9.1. Size:333K  ruichips
ru30c30m.pdfpdf_icon

RU30C40M3

RU30C30MComplementary Advanced Power MOSFETFeat res Pin DescriptionFeatures Pin Description N-ChannelD130V/30A,D1RDS (ON) =7.5m(Typ.) @ VGS=10VD2D2RDS (ON) =9.5m(Typ.) @ VGS=4.5VS1 P-ChannelG1-30V/-30A,30V/ 30A,S2S2RDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=-10V G2RDS (ON) =20m (Typ.) @ VGS=-4.5V Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology Ultr

 9.2. Size:410K  ruichips
ru30c20m3.pdfpdf_icon

RU30C40M3

RU30C20M3Complementary Advanced Power MOSFETF t Pi D i tiFeatures Pin Description N-Channel30V/20A, G2RDS (ON) =8m(Typ.) @ VGS=10V G1S2S1RDS (ON) =10m(Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-30V/-20A,30V/ 20A,RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-10VD2RDS (ON) =38m (Typ.) @ VGS=-4.5VD1D2D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technologypin1 Ultra Low On-Resista

 9.3. Size:336K  ruichips
ru30c8h.pdfpdf_icon

RU30C40M3

RU30C8HComplementary Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description N-ChannelD230V/8A,D2RDS (ON) =12m(Typ.) @ VGS=10VD1RDS (ON) =16m(Typ.) @ VGS=4.5VD1 P-Channel-30V/-7A,G2RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=-10VS2RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-4.5VG1 Reliable and Ruggedpin1S1 ESD Protected Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

Другие MOSFET... RU30110M , RU30120M3 , RU30180M-C , RU3030M3 , RU3040M3 , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M , AO3401 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C , RU30P40M3 , RU40120L , RU40180R , RU4030M3 .

History: NCEP090N20D | WPM2341 | SSM9918GJ | WST6402 | SIHG47N60AEF | SUN0765F | NCEP080N10A

 

 
Back to Top

 


 
.