RU40C40M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU40C40M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Encapsulados: PDFN5060
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RU40C40M datasheet
ru40c40m.pdf
RU40C40M Complementary Advanced Power MOSFET Features Pin Description N-Channel 40V/40A, RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10V D2D2 RDS (ON) =17m (Typ.) @ VGS=4.5V D1D1 P-Channel -40V/-40A, 40V/ 40A RDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=-4.5V G2 Fast Switching Speed G1S2 pin1 S1 ESD Protected Low gate Charge PDFN5060 Lead Free
ru40c40l4.pdf
RU40C40L4 Complementary Advanced Power MOSFET Features Pin Description N-Channel D1/D2 40V/40A, RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel -40V/-40A, RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-4.5V S1 G1 Fast Switching Speed S2 G2 Low gate Charge ESD protected TO252-4L Lead Free and Green Devices A
ru40c20m3.pdf
RU40C20M3 Complementary Advanced Power MOSFET F t Pi D i ti Features Pin Description N-Channel 40V/20A, G2 RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=10V G1S2 S1 RDS (ON) =15m (Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel -40V/-20A, 40V/ 20A, RDS (ON) =35m (Typ.) @ VGS=-10V D2 RDS (ON) =43m (Typ.) @ VGS=-4.5V D1D2 D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology pin1 Ultra Low On-Resist
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