RUH1H150M-C Todos los transistores

 

RUH1H150M-C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RUH1H150M-C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 232 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1830 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: DFN5060

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RUH1H150M-C datasheet

 ..1. Size:282K  ruichips
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RUH1H150M-C

RUH1H150M-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/150A, RDS (ON) =2.8m (Typ.)@VGS=10V Using Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance G Excellent Qg&RDS(on) Performance S S Low Gate Charge Minimizing Switching Loss S 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) DD DD PIN1 DFN5060 D

 6.1. Size:396K  ruichips
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RUH1H150M-C

RUH1H150R-A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/150A, RDS (ON) =3.4m (Typ.)@VGS=10V Using Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) Performance Low Gate Charge Minimizing Switching Loss L G t Ch Mi i i i S it hi L 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G D

 6.2. Size:311K  ruichips
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RUH1H150M-C

RUH1H150S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/150A, D RDS (ON) =3.2m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% avalanche tested 100% l h t t d 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D D D D D

 6.3. Size:265K  ruichips
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RUH1H150M-C

RUH1H150T N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 100V/150A, 11 RDS (ON) =2.9m (Typ.)@VGS=10V 9 10 Using Ruichips Advanced RUISGTTM Technology 10 9 Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) Performance 11 1 1 Low Gate Charge Minimizing Switching Loss L G t Ch Mi i i i S it hi L 2 8 34 76 100% Avalanche Tested 56 54 Lead Fre

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