RUH40300T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUH40300T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 212 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1010 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
Encapsulados: TOLL
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RUH40300T datasheet
ruh40300t.pdf
RUH40300T N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/300A, 11 RDS (ON) =1.5m (Typ.)@VGS=10V 9 10 Using Ruichips Proprietary New Trench Technology 10 Ultra Low On-Resistance 9 Excellent Qg&RDS(on) Performance 11 1 1 Low Gate Charge Minimizing Switching Loss Low Gate Charge Minimizing Switching Loss 2 8 34 76 100% Avalanche Tested
ruh4022m3.pdf
RUH4022M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/20A, D RDS (ON) =16m (Typ.)@VGS=10V D D RDS (ON) =23m (Typ.)@VGS=4.5V D Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Low Gate Charge Minimizing Switching Loss G Ultra Low On-Resistance S S S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) 100% Avalanche Tested PIN1 Lead Free and Green Devices
ruh4040m3.pdf
RUH4040M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/40A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=4.5V D Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) product(FOM) G 100% avalanche tested S S Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S PIN1 DFN3030 D Applications DC/DC Converters On board power
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History: CEF9060N | IXFH10N100
History: CEF9060N | IXFH10N100
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