RUH85350T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUH85350T 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 555 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 350 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3950 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
Encapsulados: TOLL
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RUH85350T datasheet
ruh85350t.pdf
RUH85350T N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/350A, 11 RDS (ON) =1.3m (Typ.)@VGS=10V 9 10 Using Ruichips Advanced RUISGTTM Technology 10 9 Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) Performance 11 1 1 Low Gate Charge Minimizing Switching Loss L G t Ch Mi i i i S it hi L 2 8 34 76 100% Avalanche Tested 56 54 Lead Free
ruh85120m-c.pdf
RUH85120M-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/120A, G RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V S S RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=4.5V S D Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed DD 100% Avalanche Tested DD Uses Ruichips advanced SGTTM technology Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) PIN1 DFN5060 D Applications Synchronou
ruh85150r.pdf
RUH85150R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/150A, RDS (ON) =3.4m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G D S TO220 D D D D D D Appl
ruh85120s.pdf
RUH85120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/120A, D RDS (ON) =4.6m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced SGTTM technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G S TO263 D D D D D
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
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