RUH85350T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RUH85350T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 555 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 350 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm

Тип корпуса: TOLL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RUH85350T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH85350T даташит

 ..1. Size:264K  ruichips
 ruh85350t.pdf pdf_icon

RUH85350T

RUH85350T N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/350A, 11 RDS (ON) =1.3m (Typ.)@VGS=10V 9 10 Using Ruichips Advanced RUISGTTM Technology 10 9 Ultra Low On-Resistance Excellent Qg&RDS(on) Performance 11 1 1 Low Gate Charge Minimizing Switching Loss L G t Ch Mi i i i S it hi L 2 8 34 76 100% Avalanche Tested 56 54 Lead Free

 9.1. Size:279K  ruichips
 ruh85120m-c.pdf pdf_icon

RUH85350T

RUH85120M-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/120A, G RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V S S RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=4.5V S D Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed DD 100% Avalanche Tested DD Uses Ruichips advanced SGTTM technology Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) PIN1 DFN5060 D Applications Synchronou

 9.2. Size:375K  ruichips
 ruh85150r.pdf pdf_icon

RUH85350T

RUH85150R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/150A, RDS (ON) =3.4m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G D S TO220 D D D D D D Appl

 9.3. Size:687K  ruichips
 ruh85120s.pdf pdf_icon

RUH85350T

RUH85120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 85V/120A, D RDS (ON) =4.6m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced SGTTM technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 100% A l h T t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) G S TO263 D D D D D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RUH6080R, RUH60D60M, RUH85100M-C, RUH85120M-C, RUH85120S, RUH85150R, RUH85210R, RUH85230S, RFP50N06, RUQ4040M2, H0110D, H0110K, H01H14B, H01H14D, H01P13D, H01P13K, H10N60P