FQD5P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQD5P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQD5P10

FQD5P10 Datasheet (PDF)

..1. Size:705K fairchild semi
fqd5p10tf fqd5p10tm fqd5p10 fqu5p10.pdf

October 2008QFETFQD5P10 / FQU5P10 100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -3.6A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been espec

9.1. Size:657K fairchild semi
fqd5p20tf fqd5p20tm fqd5p20 fqu5p20 fqu5p20tu.pdf

October 2008QFETFQD5P20 / FQU5P20200V P-Channel MOSFETFeaturesGeneral Description -3.7A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThese P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 10 nC)transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Crss ( typical 12 pF)planar stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced techn

Otros transistores... FQD4N20 , FQP11P06 , FQD4N25 , FQD4P25 , FQD5N20L , FQP12P10 , FQD5N60C , FDS4675 , 2N7000 , FQD5P20 , FQD6N25 , FQD6N40C , HUFA76419DF085 , FQD6N50C , FQD7N10L , HUFA75645S3S , FQD7N20L .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: