H1N60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H1N60U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 4.8 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET H1N60U
H1N60U Datasheet (PDF)
h1n60u h1n60d.pdf
1N60 SeriesN-Channel MOSFET1A, 600V, N H FQU1N60C H1N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI1N60FQD1N60C H1N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/1N60 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=1A
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Liste
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