H1N60U Todos los transistores

 

H1N60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H1N60U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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H1N60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  cn haohai electr
 h1n60u h1n60d.pdf pdf_icon

H1N60U

1N60 SeriesN-Channel MOSFET1A, 600V, N H FQU1N60C H1N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI1N60FQD1N60C H1N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/1N60 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=1A

Otros transistores... H01P13D , H01P13K , H10N60P , H10N65P , H12N60P , H12N65P , H15N10U , H15N10D , STP80NF70 , H1N60D , H2301 , H2302 , H2302A , H2N60P , H2N60F , H2N60U , H2N60D .

History: DMP3013SFV-13 | OSG65R2KPF | 2N4222A | IXFH6N100F | 2SK1169 | RTQ035N03FRA | DMP3056LSD-13

 

 
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