Справочник MOSFET. H1N60U

 

H1N60U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H1N60U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для H1N60U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H1N60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  cn haohai electr
 h1n60u h1n60d.pdf pdf_icon

H1N60U

1N60 SeriesN-Channel MOSFET1A, 600V, N H FQU1N60C H1N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI1N60FQD1N60C H1N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/1N60 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=1A

Другие MOSFET... H01P13D , H01P13K , H10N60P , H10N65P , H12N60P , H12N65P , H15N10U , H15N10D , STP80NF70 , H1N60D , H2301 , H2302 , H2302A , H2N60P , H2N60F , H2N60U , H2N60D .

 

 
Back to Top

 


 
.