H1N60U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: H1N60U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.8 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам