H6N70D Todos los transistores

 

H6N70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H6N70D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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H6N70D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  cn haohai electr
 h6n70u h6n70d.pdf pdf_icon

H6N70D

6N70 SeriesN-Channel MOSFET6A, 700V, N H FQU6N70C H6N70U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI6N70FQD6N70C H6N70D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/6N70 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=6A

 9.1. Size:935K  samsung
 ssh6n70a.pdf pdf_icon

H6N70D

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 700 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.2. Size:409K  cn haohai electr
 h6n70p h6n70f.pdf pdf_icon

H6N70D

6N70 SeriesN-Channel MOSFET6A, 700V, N H FQP6N70C H6N70P P: TO-220ABHAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs6N70FQPF6N70C H6N70F F: TO-220FP6N70 Series Pin AssignmentFeaturesID=6AOriginative New DesignBVD

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History: AP60SL600DH | JCS740SC | CS75N08 | CS100N08A8 | AP9971AGM-HF | IPD50N04S4-08 | IPD220N06L3G

 

 
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