Справочник MOSFET. H6N70D

 

H6N70D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: H6N70D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для H6N70D

 

 

H6N70D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  cn haohai electr
 h6n70u h6n70d.pdf

H6N70D H6N70D

6N70 SeriesN-Channel MOSFET6A, 700V, N H FQU6N70C H6N70U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI6N70FQD6N70C H6N70D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/6N70 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=6A

 9.1. Size:935K  samsung
 ssh6n70a.pdf

H6N70D H6N70D

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 700 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.2. Size:409K  cn haohai electr
 h6n70p h6n70f.pdf

H6N70D H6N70D

6N70 SeriesN-Channel MOSFET6A, 700V, N H FQP6N70C H6N70P P: TO-220ABHAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs6N70FQPF6N70C H6N70F F: TO-220FP6N70 Series Pin AssignmentFeaturesID=6AOriginative New DesignBVD

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top