H8N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H8N65P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H8N65P

H8N65P Datasheet (PDF)

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h8n65p h8n65f.pdf

8N65 SeriesN-Channel MOSFET7.5A, 650V, N H FQP8N65C H8N65P P: TO-220ABHAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs8N65FQPF8N65C H8N65F F: TO-220FP8N65 Series Pin AssignmentFeaturesID=7.5AOriginative New Design

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Liste

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