HMDN3010D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMDN3010D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de HMDN3010D MOSFET
HMDN3010D Datasheet (PDF)
hmdn3010d.pdf
HAOHAI ELECTRONICS HMDN3010DDual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplication30V, 12ALoad SwitchRDS(ON)
Otros transistores... H8N65F , H90N71P , H90N71F , HIRFZ24NP , HIRFZ24NF , HIRFZ44N , HIRFZ44F , HLML6401 , IRF840 , HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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