HPD045N03CTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPD045N03CTA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 81 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 327 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de HPD045N03CTA MOSFET
HPD045N03CTA Datasheet (PDF)
hpd045n03cta hpp045n03cta.pdf

HPD045N03CTA (TO-252)HAOHAI ELECTRONICSHPP045N03CTA (TO-220)Product Summary90A, 30VVDSV30N-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.4.5 mFeaturesAdvanced process technologyID90 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-FreeDD1.GateDGSGTO-252DS TO-220DPAK3.SourceOR
Otros transistores... HNM2302 , HNM2302ALB , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , IRFP260N , HPP045N03CTA , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 .
History: NCE60P25K | BRCS300P02ZJ | 2SK3836 | AP9997GP-HF | IXFL80N50Q2 | HPD160N06STA | BRCS2310MA
History: NCE60P25K | BRCS300P02ZJ | 2SK3836 | AP9997GP-HF | IXFL80N50Q2 | HPD160N06STA | BRCS2310MA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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