HPM2623 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPM2623
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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HPM2623 datasheet
hpm2623.pdf
HPM2623 P-Channel MOSFETs -6A, -20V P P HPM2623 P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs SMD P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -20V, -6A, RDS(ON)=33m @ VGS=-4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged a
Otros transistores... HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , 2N7000 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA .
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