HPM2623 Todos los transistores

 

HPM2623 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HPM2623
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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HPM2623 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  cn haohai electr
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HPM2623

HPM2623P-Channel MOSFETs-6A, -20V P P HPM2623P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs SMDP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -6A, RDS(ON)=33m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged a

Otros transistores... HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 , IRF9540 , HPM3401 , HPM3401A , HPM3415 , HPMB84A , HPP080NE5SPA , HPP120N08STA , HPW080NE5SPA , HPW750N20SPA .

History: CPC5602C | 2SK960

 

 
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