HPM2623 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPM2623
Código: 2623
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 VCossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HPM2623
HPM2623 Datasheet (PDF)
hpm2623.pdf
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HPM2623P-Channel MOSFETs-6A, -20V P P HPM2623P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs SMDP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -6A, RDS(ON)=33m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged a
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