HPM2623 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HPM2623

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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HPM2623 datasheet

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HPM2623

HPM2623 P-Channel MOSFETs -6A, -20V P P HPM2623 P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs SMD P-Channel Enhancement Features Mode MOS FETs -20V, -6A, RDS(ON)=33m @ VGS=-4.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged a

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