HPM2623 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HPM2623
   Código: 2623
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HPM2623

HPM2623 Datasheet (PDF)

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hpm2623.pdf

HPM2623P-Channel MOSFETs-6A, -20V P P HPM2623P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs SMDP-ChannelEnhancementFeaturesMode MOS FETs-20V, -6A, RDS(ON)=33m @ VGS=-4.5VHigh dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged a

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Liste

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