NCE035N30G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCE035N30G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 352 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Encapsulados: DFN5X6-8L
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NCE035N30G datasheet
nce035n30k.pdf
NCE035N30K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE035N30K uses advanced trench technology and General Features design to provide excellent R with low gate charge. It can V =30V,I =105A DS(ON) DS D be used in a wide variety of applications. R =3.0 m (typical) @ V =10V DS(ON) GS R =5.2 m (typical) @ V =4.5V Application DS(ON) GS
nce035p40gu.pdf
http //www.ncepower.com NCE035P40GU NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE035P40GU uses advanced trench technology and V =-40V,I =-130A DS D design to provide excellent R with low gate charge. It R
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History: HM2301BSR | BSR606N
🌐 : EN ES РУ
Liste
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