NCE042N30K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NCE042N30K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 267 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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NCE042N30K Datasheet (PDF)

..1. Size:776K ncepower
nce042n30k.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE042N30KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE042N30K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =100ADS DR =3.2m @ V =10V Schematic diagramDS(ON) GSR =6.8m @ V =4.5VDS(ON)

9.1. Size:810K ncepower
nce048n30q.pdf

http://www.ncepower.comNCE048N30QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionGeneral FeaturesThe NCE048N30Q uses advanced trench technology and V =30V,I =45ADS Ddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)R =4.2m @ V =10VDS(ON) GScan be used in a wide variety of applications.R =7.3m @ V =4.5VDS(ON) GSApplication High density ce

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Liste

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