Справочник MOSFET. NCE042N30K

 

NCE042N30K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE042N30K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE042N30K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:776K  ncepower
 nce042n30k.pdf pdf_icon

NCE042N30K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE042N30KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE042N30K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =100ADS DR =3.2m @ V =10V Schematic diagramDS(ON) GSR =6.8m @ V =4.5VDS(ON)

 9.1. Size:810K  ncepower
 nce048n30q.pdf pdf_icon

NCE042N30K

http://www.ncepower.comNCE048N30QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionGeneral FeaturesThe NCE048N30Q uses advanced trench technology and V =30V,I =45ADS Ddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)R =4.2m @ V =10VDS(ON) GScan be used in a wide variety of applications.R =7.3m @ V =4.5VDS(ON) GSApplication High density ce

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: UTT80N08 | KDB4020P | PMPB27EP | IRF3205ZLPBF | MTB30P06VT4 | FMH20N50ES | IRF7220GPBF

 

 
Back to Top

 


 
.