NCE8601B Todos los transistores

 

NCE8601B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE8601B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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NCE8601B datasheet

 ..1. Size:351K  ncepower
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NCE8601B

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE8601B NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8601B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protested. General Features Schematic diagram

 9.1. Size:349K  ncepower
 nce8651q.pdf pdf_icon

NCE8601B

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE8651Q NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8651Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)

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