NCE8601B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCE8601B
Código: 8601B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.95 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCE8601B
NCE8601B Datasheet (PDF)
nce8601b.pdf
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE8601BNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8601B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protested. General Features Schematic diagram
nce8651q.pdf
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE8651QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8651Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)
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Liste
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