NCE8601B Todos los transistores

 

NCE8601B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCE8601B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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NCE8601B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  ncepower
 nce8601b.pdf pdf_icon

NCE8601B

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE8601BNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8601B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protested. General Features Schematic diagram

 9.1. Size:349K  ncepower
 nce8651q.pdf pdf_icon

NCE8601B

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE8651QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8651Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)

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History: SI7454DDP | PSMG100-05 | KSK595H | 2N7002AK | AOD450 | SI2301DS-T1-GE3 | IRLML6244TRPBF

 

 
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