FQD9N25 Todos los transistores

 

FQD9N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQD9N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FQD9N25 PDF Specs

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FQD9N25

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD9N25 / FQU9N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.4A, 250V, RDS(on) = 0.42 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 15.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 15 pF) This advanced technology ... See More ⇒

 ..2. Size:905K  onsemi
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FQD9N25

FQD9N25 / FQU9N25 N-Channel QFET MOSFET 250 V, .4 A, Features 7.4 A, 250 V, RDS(on) = 420 m (Max.) @VGS = 10 V, ID = 3.7 A Description Low Gate Charge (Typ. 15.5 nC) This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor s proprietary Low Crss (Typ. 15 pF) planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has... See More ⇒

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FQD9N25

February 2011 FQD9N25TM_F085 QFET QFET 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.4A, 250V, RDS(on)=0.42 @V =10V GS transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge (typical 15.5nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 15pF) This advanced technology has been especial... See More ⇒

Otros transistores... HUFA75645S3S , FQD7N20L , IRFS450B , FQD7N30 , FQD7P06 , FQD7P20 , FQD8P10 , FQD8P10TMF085 , IRF3205 , FQD9N25TMF085 , FQH44N10 , FDS4480 , FQH8N100C , FQI13N50C , FQI27N25 , FQI27N25TUF085 , FQI4N80 .

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