Справочник MOSFET. FQD9N25

 

FQD9N25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQD9N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 15.5 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO252, DPAK

Аналог (замена) для FQD9N25

 

 

FQD9N25 Datasheet (PDF)

1.1. fqd9n25tm f085.pdf Size:747K _fairchild_semi

FQD9N25
FQD9N25

February 2011 ® FQD9N25TM_F085 QFET® QFET 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 7.4A, 250V, RDS(on)=0.42 @V =10V GS transistors are produced using Fairchild’s proprietary, Low gate charge (typical 15.5nC) • planar stripe, DMOS technology. • Low Crss (typical 15pF) This advanced technology has been especial

1.2. fqd9n25tf fqd9n25tm fqd9n25 fqu9n25 fqu9n25tu.pdf Size:562K _fairchild_semi

FQD9N25
FQD9N25

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD9N25 / FQU9N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 7.4A, 250V, RDS(on) = 0.42Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 15.5 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 15 pF) This advanced technology

 

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top