BL15N25-D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BL15N25-D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 154 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de BL15N25-D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BL15N25-D datasheet

 ..1. Size:1196K  belling
 bl15n25-p bl15n25-a bl15n25-u bl15n25-d.pdf pdf_icon

BL15N25-D

BL15N25 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL15N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 9.1. Size:894K  jilin sino
 bl15n15a bl15p15a.pdf pdf_icon

BL15N25-D

 9.2. Size:1253K  belling
 bl15n50-p bl15n50-a bl15n50-f.pdf pdf_icon

BL15N25-D

BL15N50-APF Power MOSFET 1.Description Step-Down Converter BL15N50-APF, the silicon N-channel , Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS

Otros transistores... BL13N25L-D, BL13N25L-P, BL13N25L-U, BL13N25-P, BL13N25-U, BL13N50-A, BL13N50-P, BL15N25-A, IRF520, BL15N25-P, BL15N25-U, BL15N50-A, BL15N50-F, BL15N50-P, BL18N20-A, BL18N20-D, BL18N20-P