BL15N25-D Todos los transistores

 

BL15N25-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BL15N25-D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 154 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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BL15N25-D Datasheet (PDF)

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BL15N25 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL15N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

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DARLINGTON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS RBL15N15A BL15P15A APPLICATIONS Audio Series Regulator General Purpose FEATURES High current capability High reliability RoHS

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