BL15N25-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BL15N25-D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 154 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BL15N25-D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL15N25-D даташит

 ..1. Size:1196K  belling
 bl15n25-p bl15n25-a bl15n25-u bl15n25-d.pdf pdf_icon

BL15N25-D

BL15N25 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL15N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 9.1. Size:894K  jilin sino
 bl15n15a bl15p15a.pdf pdf_icon

BL15N25-D

 9.2. Size:1253K  belling
 bl15n50-p bl15n50-a bl15n50-f.pdf pdf_icon

BL15N25-D

BL15N50-APF Power MOSFET 1.Description Step-Down Converter BL15N50-APF, the silicon N-channel , Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS

Другие IGBT... BL13N25L-D, BL13N25L-P, BL13N25L-U, BL13N25-P, BL13N25-U, BL13N50-A, BL13N50-P, BL15N25-A, IRF520, BL15N25-P, BL15N25-U, BL15N50-A, BL15N50-F, BL15N50-P, BL18N20-A, BL18N20-D, BL18N20-P