BL23N50-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BL23N50-P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 271 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 279 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
- Selección de transistores por parámetros
BL23N50-P Datasheet (PDF)
bl23n50-p bl23n50-a bl23n50-w bl23n50-k.pdf

BL23N50 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET 1 Description BL23N50, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applicati
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SWD078R08E8T | ZVN0545GTA | IRF2903ZLPBF | 4N65KG-TMS2-T | SSM9985GM | AP4506GEM | STFW60N65M5
History: SWD078R08E8T | ZVN0545GTA | IRF2903ZLPBF | 4N65KG-TMS2-T | SSM9985GM | AP4506GEM | STFW60N65M5



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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