BL23N50-P - аналоги и даташиты транзистора

 

BL23N50-P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BL23N50-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 271 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 279 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BL23N50-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL23N50-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:720K  belling
 bl23n50-p bl23n50-a bl23n50-w bl23n50-k.pdf pdf_icon

BL23N50-P

BL23N50 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET 1 Description BL23N50, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applicati

Другие MOSFET... BL20N60-P , BL20N60-W , BL20N65-A , BL20N65-F , BL20N65-P , BL20N65-W , BL23N50-A , BL23N50-K , AO4468 , BL23N50-W , BL25N40-A , BL25N40-F , BL25N40-P , BL25N40-W , BL25N50-F , BL25N50-W , BL25N60-F .

History: FMC10N60E

 

 
Back to Top

 


 
.