BL2N50-D Todos los transistores

 

BL2N50-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BL2N50-D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BL2N50-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1135K  belling
 bl2n50-p bl2n50-a bl2n50-u bl2n50-d.pdf pdf_icon

BL2N50-D

BL2N50 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL2N50, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Para

Otros transistores... BL25N40-W , BL25N50-F , BL25N50-W , BL25N60-F , BL25N60-W , BL25N65-F , BL25N65-W , BL2N50-A , IRFZ44 , BL2N50-P , BL2N50-U , BL2N60-A , BL2N60-D , BL2N60-P , BL2N60-U , BL30N30-A , BL30N30-B .

History: NVB60N06 | FQA24N50F109 | IRF7832PBF-1 | STD5NK52ZD-1 | IRFU3806PBF | NTMD4N03 | H50N03J

 

 
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