BL2N50-D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BL2N50-D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BL2N50-D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL2N50-D даташит

 ..1. Size:1135K  belling
 bl2n50-p bl2n50-a bl2n50-u bl2n50-d.pdf pdf_icon

BL2N50-D

BL2N50 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL2N50, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Para

Другие IGBT... BL25N40-W, BL25N50-F, BL25N50-W, BL25N60-F, BL25N60-W, BL25N65-F, BL25N65-W, BL2N50-A, IRFZ44, BL2N50-P, BL2N50-U, BL2N60-A, BL2N60-D, BL2N60-P, BL2N60-U, BL30N30-A, BL30N30-B