BL2N60-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BL2N60-D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BL2N60-D
BL2N60-D Datasheet (PDF)
bl2n60-p bl2n60-a bl2n60-u bl2n60-d.pdf
BL2N60 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL2N60, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Para
Otros transistores... BL25N60-W , BL25N65-F , BL25N65-W , BL2N50-A , BL2N50-D , BL2N50-P , BL2N50-U , BL2N60-A , IRFB4110 , BL2N60-P , BL2N60-U , BL30N30-A , BL30N30-B , BL30N30-P , BL30N50-F , BL30N50-W , BL30N60-F .
History: CTN2304
History: CTN2304
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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