Справочник MOSFET. BL2N60-D

 

BL2N60-D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BL2N60-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для BL2N60-D

 

 

BL2N60-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1149K  belling
 bl2n60-p bl2n60-a bl2n60-u bl2n60-d.pdf

BL2N60-D BL2N60-D

BL2N60 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL2N60, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Para

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top