BL5N135-P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BL5N135-P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1350 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de BL5N135-P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BL5N135-P datasheet

 ..1. Size:1327K  belling
 bl5n135-p bl5n135-a bl5n135-w bl5n135-k bl5n135-f.pdf pdf_icon

BL5N135-P

BL5N135 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL5N135, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Otros transistores... BL4N80-U, BL50N30-F, BL50N30-W, BL59N30-F, BL59N30-W, BL5N135-A, BL5N135-F, BL5N135-K, AOD4184A, BL5N135-W, BL5N50-A, BL5N50-D, BL5N50-P, BL5N50-U, BL60N25-F, BL60N25-W, BL6N120-A