BL5N135-P - аналоги и даташиты транзистора

 

BL5N135-P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BL5N135-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BL5N135-P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL5N135-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1327K  belling
 bl5n135-p bl5n135-a bl5n135-w bl5n135-k bl5n135-f.pdf pdf_icon

BL5N135-P

BL5N135 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL5N135, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Другие MOSFET... BL4N80-U , BL50N30-F , BL50N30-W , BL59N30-F , BL59N30-W , BL5N135-A , BL5N135-F , BL5N135-K , AO4468 , BL5N135-W , BL5N50-A , BL5N50-D , BL5N50-P , BL5N50-U , BL60N25-F , BL60N25-W , BL6N120-A .

History: BL6N120-A | P0903BV | IPS12CN10L | FMV16N50E

 

 
Back to Top

 


 
.