BLM03N03-D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM03N03-D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO-252

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BLM03N03-D datasheet

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BLM03N03-D

BLM03N03 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter The BLM03N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DS I 150 A D R .Typ 2.3 m DS(ON)@10V R .Typ 3.8 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

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