BLM03N03-D Todos los transistores

 

BLM03N03-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM03N03-D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BLM03N03-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  belling
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BLM03N03-D

BLM03N03 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM03N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DSI 150 A DR .Typ 2.3 m DS(ON)@10V R .Typ 3.8 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

Otros transistores... BL9N50-P , BL9N50-U , BL9N90-A , BL9N90-F , BL9N90-W , BLC75N120-BG , BLC75N120-F , BLC75N120-Z , AON6380 , BLM04N06-B , BLM04N06-P , BLM04N08-B , BLM04N08-P , BLM055N04-D , BLM05N03-D , BLM06N03-D , BLM06N10-B .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | 2SJ603

 

 
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